产品优势
高分辨率3μm/3μm（L/S）
产品优势
Die level畸变和焦面实时补偿
产品优势
套刻精度1μm
产品优势
灵活版图设计无掩膜尺寸限制
产品优势
高分辨率3μm/3μm（L/S）
产品优势
Die level畸变和焦面实时补偿
产品优势
套刻精度1μm
产品优势
灵活版图设计无掩膜尺寸限制
| 最大基板尺寸 | 300mm×300mm（12"x12"） |
| 解析 | 3um/3um |
| 解析度 | 64478dpi |
| 线宽精度 | ±10% |
| 焦深 | ±5um |
| 对位精度 | ±3um@300mm×300mm |
| 产能 | 40WPH@8寸Wafer&40mm/s |
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